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[信息技术]PP 08磁阻随机存取存储器(MRAM)应用

细分领域:集成电路  8368

信息来源:中国国际技术转移中心

发布时间:2018-08-02 有效期:二年

关  键  词:存储器

对接状态:暂无

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【需求内容】

自旋隧道器件(MTJs)、自旋阀等自旋电子器件的微型化,为存储硬盘读取和写入磁性数据提供了巨大的潜力。一方面,面积密度可以增加到Tbit/英寸2;另一方面,为了验证摩尔定律,其非波动性和运算处理速度也应增加。然而,当前制约其实际应用的主要问题在于,存储硬盘写入需要能量较高而存储密度较低。其中,电压控制的自旋电子器件提供了一个独特的窗口,以增加对器件操作的有效控制、减少写入能量消耗、增加更多的自由度、将存储密度增加到所需的规模,从而提供下一代非易失性存储设备。该项目需要在一个广阔、洁净的室内环境中进行,便于生产微型、纳米器件制造,因此需要发展10000级、1000级、100级洁净室设备。项目目标:1.发展最先进的10000级、1000级、100级洁净室研究设备2.超低压装置运行结构3.成功制造椭圆形和圆形磁性隧道结器件4.基本MRAM元件用于读取、写入5.铁电隧道结在存储器中的成功应用6.压控磁阻存储器件的原型制造7.不同设计架构下各种不同的基于压电的新型存储器件8.培训职工、学生,并未毕业生提供奖学金预期经费:1006万美元

【其他信息】

需求方名称:国立科技大学穆罕默德·费萨尔

合作方式:1.合作开发2.直接购买项目

有效时间:二年

联系方式

机构名称:中国国际技术转移中心 联系人:李倩 联系邮箱:cittc@chinatis.com 联系电话:18401645119

中国国际技术转移中心
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科技标准化评价说明

本评价报告的编制是为了实现科技成果评价的标准化、智能化、市场化,辅助科技成果的供求双方快速理解成果的内涵,加快科技成果的转化与产业化。中关村巨加值科技评价研究院按照《国家“十二五”科学和技术发展规划》和《中共中央、国务院关于深化科技体制改革,加快国家创新体系建设的意见》的相关政策和要求,依据国家标准GB/T 22900-2009《科学技术研究项目评价通则》(简称《科技通则》)的相关指标和要求,联合具备科技评估师国家职业培训资格的第三方评价机构,为实现全国范围内的科技成果统一、客观、公平、公正的第三方标准化评价。


本评价报告采用的方法是将《科技通则》中分解的模型标准、计量模型标准及评价模型标准应用于科技成果评价的全过程,采用可统一、可量化、可考核、可追溯的系统模型结构实现对科技成果的规范管理,最大限度地集成科研活动中形成的数据、成果、经验和知识,并将其动态应用到处于任何技术创新水平的科技成果评价,本报告可以直观的反映该成果从开始研究到评价基准日期之间所处的技术进步水平、结构情况和效益情况,可作为政府项目筛选、企业投融资和成果交易的重要参考依据。

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